Specyfikacja: - Typ tranzystora: N-MOSFET - Technologia: SuperMesh™ - Polaryzacja: unipolarny - Napięcie dren-źródło: 500V - Prąd drenu: 8.8A - Moc: 160W - Obudowa: TO220-3 - Napięcie bramka-źródło: ±30V - Rezystancja w stanie przewodzenia: 340mΩ - Montaż: THT - Właściwości elementów półprzewodnikowych: ESD protected gate SK