Producent ST MICROELECTRONICS Typ tranzystora N-MOSFET Technologia SuperMesh™ Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 500V Prąd drenu 2,7A Moc rozpraszana 25W Obudowa TO220FP Napięcie bramka-źródło ±30V Rezystancja w stanie przewodzenia 1500mΩ Montaż THT Właściwości elementów półprzewodnikowych ESD protected gate ZH