Charakterystyka: Rodzaj tranzystora HEXFET Napięcie dren-źródło 100V Prąd drenu 15A Moc 52W Obudowa DPAK Napięcie bramka-źródło 16V Rezystancja w stanie przewodzenia 105mΩ Rezystancja termiczna złącze-obudowa 2.4K/W Montaż SMD Ładunek bramki 22.7nC