elecena.pl

MOSFET N-kanałowy 19 A DirectFET izometryczny 200 V SMD 0.1 Ω

RS Components

Tranzystor MOSFET Infineon HEXFET ma maksymalne napięcie źródła spustu 200 V w obudowie DirectFET MZ o obciążalności 19 A zoptymalizowanej pod kątem niskiej rezystancji.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu