Infineon CoolSiC 1200 V, 14 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-3 bazującym na stanie procesu półprzewodnikowego rowu ART zoptymalizowanego pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością, obejmuje to najniższe poziomy naładowania bramki i pojemności urządzeń widoczne w przełącznikach 1200 V, Brak strat podczas powrotu do stanu normalnego wewnętrznej diody korpusu odpornej na komutację, niezależne od temperatury straty przy przełączaniu i niepowodujących progów charakterystyki włączenia oraz tranzystory CoolSiC MOSFET są idealne do twardych i dźwiękowych topologii przełączania, takich jak obwody korekcji współczynnika mocy (PFC), topologie dwukierunkowe i przetwornice DC-DC lub przetwornice DC-AC. https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2022-10-21 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2023-04-03 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2023-06-24 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2024-04-10 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2024-07-11 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2025-11-12 https://elecena.pl/product/21873633/mosfet-typ-n-kanalowy-52-a-to-247-75-v-n-3-pinowy-powierzchnia-81-w-infineon-3-m-imw120r014m1hxksa1 2026-03-19