IGT60R190D1SATMA1

Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; 600V; 12,5A; Idm: 23A

* Producent:INFINEON TECHNOLOGIES * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Prąd drenu:12,5A * Napięcie dren-źródło:600V * Rezystancja w stanie przewodzenia:190m? * Typ tranzystora:N-JFET * Rodzaj kanału:wzbogacany * Ładunek bramki:3,2nC * Prąd drenu w impulsie:23A * Technologia:CoolGaN™ * Napięcie bramka-źródło:-10V * Obudowa:PG-HSOF-8-3 * Prąd bramki:7,7mA * Moc rozpraszana:55,5W * Rodzaj tranzystora:HEMT * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,19?