Typ tranzystora P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -30V Prąd drenu -4,3A Moc rozpraszana 1,4W Obudowa SOT23 Napięcie bramka-źródło ?20V Rezystancja w stanie przewodzenia 48m? Montaż SMD Ładunek bramki 4,6nC Rodzaj kanału wzbogacany