SPECYFIKACJA Producent STMicroelectronics Typ tranzystora N-MOSFET Technologia STripFET? II Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 100V Prąd drenu 77A Moc rozpraszana 312W Obudowa TO220-3 Napięcie bramka-źródło ?20V Rezystancja w stanie przewodzenia 10,5m? Montaż THT Rodzaj kanału wzbogaca... - zobacz cały opis