Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 60V Prąd drenu 4,5A Moc rozpraszana 2W Obudowa SOT223 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 0,1Ω Montaż SMD Rodzaj opakowania rolka, taśma Rodzaj kanału wzbogacany aw