Typ tranzystora N-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 400V Prąd drenu 2A Moc rozpraszana 42W Obudowa DPAK Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 1,8Ω Montaż SMD Ładunek bramki 20nC Rodzaj kanału wzbogacany aw