Fototranzystor ø4mm matowy czarny. Długość fali szczytowej: 940nm Ic(on) max: 4.8mA Iceo max: 100nA Pd - strata mocy: 100mW U max kolektor-emiter: 30V U max emiter-kolektor: 5V Selekcja :BIN D Produkt zgodny z dyrektywą RoHS nr 2011/65/EU, zmienioną dyrektywą nr 2015/863. Według producenta niniejszy produkt jest zgodny z unijną dyrektywą RoHS nr 2011/65/UE, zmienioną dyrektywą nr 2015/863, bez wyłączeń materiałowych.