Charakterystyka: Kategoria Tranzystor epitaksjalny Konfiguracja Pojedyncza Liczba elementów na układ 1 Liczba styków 3 Maksymalna częstotliwość robocza 200 MHz Maksymalna strata mocy 625 mW Maksymalna temperatura robocza +150°C Maksymalne napięcie emiter-baza 6 V Maksymalne napięcie kolektor-baza 400 V Maksymalne napięcie kolektor-emiter 400 V Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter 0,9 V Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter 1 V Maksymalny prąd DC kolektora 500 mA Minimalne wzmocnienie prądu DC 15 Szerokość 3.86mm Typ montażu Otwór przezierny Typ opakowania TO-92 Typ tranzystora NPN