Typ tranzystora N-MOSFET Technologia HEXFET? Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 100V Prąd drenu 9,7A Moc rozpraszana 48W Obudowa TO220AB Napięcie bramka-źródło ?20V Rezystancja w stanie przewodzenia 0,2? Montaż THT Ładunek bramki 16,7nC