Die EL053X-Bauelemente bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode,die optisch mit einem Hochgeschwindigkeits-Fotodetektortransistor gekoppelt ist. Ein separater Anschluss für die Vorspannung der Fotodiode und den Kollektor des Ausgangstransistors erhöhen die Geschwindigkeit um mehrere Größenordnungen gegenüber herkömmlichen Fototransistorkopplern, indem die Basis-Kollektor-Kapazität des des Eingangstransistors. Die Bauelemente sind in einem 8-Pin-Gehäuse mit kleinem Querschnitt untergebracht, das das dem Standard-SO-8-Gehäuse entspricht.