Tranzystor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; -30V; -12,6A; 4,8W * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Obudowa:SO8 * Rezystancja w stanie przewodzenia:30m? * Napięcie dren-źródło:-30V * Ładunek bramki:28nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu:-12,6A * Prąd drenu w impulsie:-32A * Moc rozpraszana:4,8W * Technologia:TrenchFET® * Cena jednostkowa:Nie * Rodzaj opakowania:rolka https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2024-08-05 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2024-11-01 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2024-11-25 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2024-12-05 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2024-12-22 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-01-30 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-02-10 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-02-28 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-03-11 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-03-18 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-03-25 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-04-03 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-04-08 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-04-14 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-05-30 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-06-21 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-07-16 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-08-04 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-09-11 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-09-18 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2025-10-21 https://elecena.pl/product/26675063/55si4435fdy-t1-ge3 2026-03-06