55PMZB290UNE2YL

Tranzystor: N-MOSFET; Trench; unipolarny; 20V; 0,8A; Idm: 4A; 350mW

* Producent:NEXPERIA * Montaż:SMD * Rodzaj opakowania:taśma * Typ tranzystora:N-MOSFET * Polaryzacja:unipolarny * Napięcie dren-źródło:20V * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±8V * Ładunek bramki:1,4nC * Prąd drenu:0,8A * Rezystancja w stanie przewodzenia:1190m? * Moc rozpraszana:350mW * Prąd drenu w impulsie:4A * Technologia:Trench * Obudowa:SOT883B * Rodzaj opakowania:rolka * Cena jednostkowa:Nie * Rezystancja w stanie przewodzenia:1,19? * Moc rozpraszana:0,35W