[elecena] SPD18P06PGBTMA1 SMD Tranzystor P-MOSFET 60V 18.6A 80W TO252-3 - zmiany ceny Typ tranzystora P-MOSFET Technologia SIPMOS™ Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -60V Prąd drenu -18,6A Moc rozpraszana 80W Obudowa PG-TO252-3 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 0,13Ω Montaż SMD Rodzaj kanału wzbogacany aw