Producent VISHAY Typ tranzystora P-MOSFET Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -60V Prąd drenu -50A Prąd drenu w impulsie -80A Moc rozpraszana 136W Obudowa DPAK, TO252 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 30mΩ Montaż SMD Ładunek bramki 165nC Rodzaj opakowania rolka, taśma Rodzaj kanału wzbogacany aw