Typ tranzystora N-MOSFET Technologia HEXFET? Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 60V Prąd drenu 2,7A Moc rozpraszana 1,25W Obudowa SOT23 Montaż SMD Rodzaj kanału wzbogacany Właściwości elementów półprzewodnikowych logic level