Typ tranzystora P-MOSFET Technologia HEXFET? Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło -20V Prąd drenu -2,6A Moc rozpraszana 1,3W Obudowa SOT23 Montaż SMD Rodzaj kanału wzbogacany Właściwości elementów półprzewodnikowych logic level