[elecena] IRF7389 tranzystor N-P MOSFET 30V; 7,3A; 0,023R; SOIC8

[elecena] IRF7389 tranzystor N-P MOSFET 30V; 7,3A; 0,023R; SOIC8 - zmiany ceny Podwójny tranzystor N-P MOSFET do montażu powierzchniowego. symbol IRF7389 rodzaj tranzystora N / P MOSFET napięcie drenu kanał N 30V rezystancja przewodzenia 0,029Ω prąd 7,3A napięcie drenu kanał P -30V rezystancja przewodzenia 0,058Ω prąd 5,3A napięcie progowe 1V moc 2,5W temperatura pracy -55°C / 150°C obudowa SOIC8 montaż powierzchniowy