Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W * Producent:NEXPERIA * Montaż:SMD * Obudowa:SOT669 * Napięcie dren-źródło:60V * Prąd drenu:100A * Rezystancja w stanie przewodzenia:3,3m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:238W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:103nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:593A