Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 30A; Idm: 90A * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:PowerPAK® SO8 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:30A * Rezystancja w stanie przewodzenia:12m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:11W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:14nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:-16...20V * Prąd drenu w impulsie:90A https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-05-10 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-05-16 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-05-29 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-06-20 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-07-28 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2025-11-14 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-01-08 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-03-05 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-03-12 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-03-19 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-04-08 https://elecena.pl/product/28646225/55sira28bdp-t1-ge3 2026-04-27