Typ tranzystora N-MOSFET Technologia HEXFET® Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 55V Prąd drenu 110A Moc rozpraszana 200W Obudowa D2PAK Montaż SMD Rodzaj opakowania rolka Rodzaj kanału wzbogacany Cena za 1 sztukę aw