Nazwa: BST82 Obudowa: SMD-SOT23 Data Produkcji: 11 Producent: NXP SEMICONDUCTORS Opis: MOS-N Uds=100V Id=0,19A P=0.83W Rds=10ohm *N-FET 100V 0.2A 10 Ohm Dokumentacja / Data sheet 1 RoHs: Tak/RoHs Waga: 0,01 [kg] netto Podana cena dotyczy: 300 szt. Symbol magazynowy / Index: TS-BST82/1