Nazwa: SI5402BDC Obudowa: SMD-1206-8 Data Produkcji: 07 Producent: VISHAY ELECTRONIC Opis: Trench MOSFET-N Uds=30V Id=6A P=1.3W Rds=0.035ohm Mark AD VAA. *N-FET 30V 6A 1.3W Dokumentacja / Data sheet 1 RoHs: Tak/RoHs Waga: 0,01 [kg] netto Podana cena dotyczy: 100 szt. Symbol magazynowy / Index: TS-SI5402