elecena.pl

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

Nexperia

The GAN039-650NTB is a 650 V, 33 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i inverted package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance.

Elecena nie prowadzi sprzedaży elementów elektronicznych, ani w niej nie pośredniczy.

Produkt pochodzi z oferty sklepu