Producent INFINEON TECHNOLOGIES Typ tranzystora N-MOSFET Technologia HEXFET® Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 75V Prąd drenu 120A Moc rozpraszana 300W Obudowa TO220AB Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 4,1mΩ Montaż THT Ładunek bramki 0,12µC Rodzaj opakowania tuba Rodzaj kanału wzbogacany Masa brutto 1.98 g Cena za 1 sztukę