Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23 * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:SOT23 * Napięcie dren-źródło:30V * Prąd drenu:5,8A * Rezystancja w stanie przewodzenia:36m? * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:1,3W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:10nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:20A https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-09-04 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-10-19 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-11-14 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-11-20 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-12-02 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2025-12-20 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2026-03-05 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2026-03-12 https://elecena.pl/product/29328575/55si2366ds-t1-ge3 2026-04-27