Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 3,1A; Idm: 8A; 1,6W; SOT23 * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:SOT23 * Napięcie dren-źródło:100V * Prąd drenu:3,1A * Rezystancja w stanie przewodzenia:126mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:1,6W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:10,4nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:8A https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2025-10-13 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2025-10-19 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2025-11-20 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2026-01-08 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2026-03-05 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2026-03-12 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2026-03-19 https://elecena.pl/product/29425923/55si2392ads-t1-ge3 2026-04-07