Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO247-3 * Producent:STMicroelectronics * Montaż:THT * Obudowa:TO247-3 * Napięcie kolektor-emiter:650V * Napięcie bramka - emiter:±30V * Prąd kolektora:40A * Prąd kolektora w impulsie:160A * Typ tranzystora:IGBT * Moc rozpraszana:283W * Rodzaj opakowania:tuba * Cena jednostkowa:Nie * Właściwości elementów półprzewodnikowych:integrated anti-parallel diode * Ładunek bramki:0,21µC