Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 243A; 416W * Producent:MICROCHIP TECHNOLOGY * Montaż:THT * Obudowa:TO247-4-notch * Napięcie dren-źródło:1,2kV * Prąd drenu:68A * Rezystancja w stanie przewodzenia:27mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:416W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Ładunek bramki:136nC * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rodzina:SMB * Prąd drenu w impulsie:243A https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-01-08 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-01-14 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-01-21 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-01-27 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-02-11 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-03-05 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-03-19 https://elecena.pl/product/29674643/55msc020smb120b4n 2026-04-07