Tranzystor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P * Producent:STMicroelectronics * Montaż:THT * Obudowa:TO3P * Napięcie kolektor-emiter:650V * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:40A * Prąd kolektora w impulsie:160A * Typ tranzystora:IGBT * Moc rozpraszana:283W * Rodzaj opakowania:tuba * Właściwości elementów półprzewodnikowych:integrated anti-parallel diode * Ładunek bramki:0,21µC https://elecena.pl/product/29976073/55stgwt40h65dfb 2026-03-19 https://elecena.pl/product/29976073/55stgwt40h65dfb 2026-04-14