Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 900V; Ic: 27A; SOT227B * Producent:MICROCHIP TECHNOLOGY * Obudowa:SOT227B * Napięcie wsteczne maks.:900V * Struktura półprzewodnika:pojedynczy tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±30V * Prąd kolektora:27A * Prąd kolektora w impulsie:160A * Moc rozpraszana:284W * Rodzaj opakowania:tuba * Montaż elektryczny:przykręcany * Montaż mechaniczny:przykręcany * Technologia:POWER MOS 7® * Typ modułu półprzewodnikowego:IGBT