Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 4A; Idm: 28A; 1W; SOT23 * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:SOT23 * Napięcie dren-źródło:40V * Prąd drenu:4A * Rezystancja w stanie przewodzenia:63mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET * Zastosowanie:branża motoryzacyjna * Moc rozpraszana:1W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:13nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:28A https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-04-20 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-04-27 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-05-10 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-06-06 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-06-19 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-06-26 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-07-02 https://elecena.pl/product/30112805/55sq2318ces-t1-ge3 2026-10-04