Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8 * Producent:VISHAY * Montaż:SMD * Obudowa:SO8 * Napięcie dren-źródło:20V * Prąd drenu:6,7A * Rezystancja w stanie przewodzenia:22mΩ * Typ tranzystora:N-MOSFET x2 * Moc rozpraszana:2W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:33nC * Technologia:TrenchFET® * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±12V * Prąd drenu w impulsie:30A https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-05-03 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-05-10 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-05-17 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-06-06 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-06-19 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-06-26 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-07-02 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30172486/55si9926cdy-t1-ge3 2026-10-09