Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -2,9A; Idm: -20A; 1,1W * Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Obudowa:TSOP6 * Napięcie dren-źródło:-60V * Prąd drenu:-2,9A * Rezystancja w stanie przewodzenia:111mΩ * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:1,1W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:18,1nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-20A https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-06-06 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-06-19 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-06-26 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-07-02 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-10-09 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-10-14 https://elecena.pl/product/30372062/55nvgs5120pt1g 2026-10-20