Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; boost chopper; Urmax: 1200V; Ic: 15A * Producent:STARPOWER SEMICONDUCTOR * Obudowa:F1.1 * Napięcie wsteczne maks.:1,2kV * Struktura półprzewodnika:dioda/tranzystor * Napięcie bramka - emiter:±20V * Prąd kolektora:15A * Prąd kolektora w impulsie:30A * Montaż elektryczny:Press-in PCB * Montaż mechaniczny:przykręcany * Technologia:Advanced Trench FS IGBT * Topologia:mostek 3-fazowy diodowy * Typ modułu półprzewodnikowego:IGBT https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-06-06 https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-06-19 https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-10-09 https://elecena.pl/product/30373361/55gd15pjy120f1s 2026-10-14