Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -3,44A; Idm: -13,8A; 2,5W * Producent:INFINEON TECHNOLOGIES * Montaż:SMD * Polaryzacja:unipolarny * Typ tranzystora:P-MOSFET * Obudowa:SO8 * Rezystancja w stanie przewodzenia:130m? * Moc rozpraszana:2,5W * Napięcie dren-źródło:-60V * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Technologia:SIPMOS™ * Prąd drenu:-3,44A * Prąd drenu w impulsie:-13,8A * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,13Ω https://elecena.pl/product/30405524/55bso613spvgxuma1 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30405524/55bso613spvgxuma1 2026-06-19 https://elecena.pl/product/30405524/55bso613spvgxuma1 2026-06-26 https://elecena.pl/product/30405524/55bso613spvgxuma1 2026-07-02