Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -4,7A; 2W; PG-TSOP-6 * Rezystancja w stanie przewodzenia:67mΩ * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rezystancja w stanie przewodzenia:67m? * Technologia:OptiMOS™ P * Obudowa:PG-TSOP-6 * Napięcie bramka-źródło:±12V * Moc rozpraszana:2W * Prąd drenu:-4,7A * Napięcie dren-źródło:-20V * Typ tranzystora:P-MOSFET * Polaryzacja:unipolarny * Montaż:SMD * Producent:INFINEON TECHNOLOGIES https://elecena.pl/product/30405525/55bsl211sph6327xtsa1 2026-06-12 https://elecena.pl/product/30405525/55bsl211sph6327xtsa1 2026-07-02