Tranzystor: N-MOSFET; SGT; unipolarny; 100V; 3,3A; 1,6W; SOT23 * Producent:GOFORD SEMICONDUCTOR * Montaż:SMD * Obudowa:SOT23 * Napięcie dren-źródło:100V * Prąd drenu:3,3A * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:1,6W * Polaryzacja:unipolarny * Ładunek bramki:4,2nC * Technologia:SGT * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V https://elecena.pl/product/30444512/55gt1k2n10i-gfs 2026-06-26 https://elecena.pl/product/30444512/55gt1k2n10i-gfs 2026-07-02