Specyfikacja Producent ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Typ tranzystora N-MOSFET x2 Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 30V Prąd drenu 8A Moc rozpraszana 1,3W Obudowa SO8 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 13mΩ Montaż SMD Ładunek bramki 6,6nC Rodzaj kanału wzbogaca... - zobacz cały opis