Specyfikacja Producent ONSEMI Typ tranzystora N-MOSFET Technologia DMOS Polaryzacja unipolarny Napięcie dren-źródło 60V Prąd drenu 0,2A Prąd drenu w impulsie 0,5A Moc rozpraszana 0,4W Obudowa TO92 Napięcie bramka-źródło ±20V Rezystancja w stanie przewodzenia 9Ω Montaż THT