Tranzystor unipolarny IRF7303 z kanałem N w obudowie SO-8 Tranzystor polowy z kanałem N, napięcie dren-źródło 30 V, prąd drenu 4,9 A. W odróżnieniu od tranzystora bipolarnego steruje się go napięciem bramki, a nie prądem — bramka nie pobiera prądu w stanie ustalonym, tylko ładuje się przy przełączaniu. W obudowie znajdują się dwa niezależne tranzystory o wspólnej podstawie termicznej. Rozwiązanie stosowane w mostkach i przełącznikach, gdzie dwa elementy pracują w tym samym torze i powinny mieć zbliżone parametry. Specyfikacja techniczna * typ: tranzystor unipolarny, MOSFET * kanał: N * napięcie dren-źródło: 30 V * prąd drenu: 4,9 A * moc strat: 2 W * liczba tranzystorów: 2 w obudowie * obudowa: SO-8 * montaż: powierzchniowy