Tranzystor MOSFET o rezystancji kanału poniżej czterech miliomów IRF3711 jest przeznaczony do kluczy w obwodach niskonapięciowych dużego prądu: przetwornic obniżających, sterowników silników, zabezpieczeń akumulatorowych. Napięcie 20 V ogranicza go do instalacji 12 V, ale w zamian rezystancja kanału wynosi zaledwie 3,5 mΩ. Przy prądzie 50 A odkłada się na niej niecałe 9 W, podczas gdy tranzystor o rezystancji 50 mΩ rozproszyłby w tych warunkach 125 W i wymagałby chłodzenia wodnego. Katalogowe 110 A obowiązuje przy utrzymaniu obudowy w 25°C, czyli w warunkach nieosiągalnych w praktyce — rzeczywistą granicę wyznacza radiator. Specyfikacja techniczna * typ: tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem N, wzbogacany * napięcie dren-źródło: 20 V * prąd drenu: 110 A * rezystancja kanału w stanie załączenia: 3,5 mΩ * moc strat: 120 W * obudowa: TO-220, montaż przewlekany, do przykręcenia do radiatora