Tranzystor bipolarny BC516 typu PNP w obudowie TO-92 Element typu PNP o napięciu kolektor-emiter 30 V i prądzie kolektora 400 mA. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, nie napięciem — obwód wejściowy projektuje się więc pod prąd, a nie pod poziom logiczny. Dwa tranzystory połączone w układzie Darlingtona mnożą wzmocnienie prądowe. Ceną jest wyższe napięcie nasycenia — na przewodzącym elemencie odkłada się około 1 V zamiast 0,2 V, co przy większych prądach oznacza więcej ciepła do odprowadzenia. Specyfikacja techniczna * typ: tranzystor bipolarny * polaryzacja: PNP * napięcie kolektor-emiter: 30 V * prąd kolektora: 400 mA * moc strat: 0,625 W * wzmocnienie prądowe hFE: 30000 * częstotliwość graniczna: 200 MHz * konfiguracja: Darlington * obudowa: TO-92 * montaż: przewlekany