Tranzystor bipolarny 2SC5129 typu NPN w obudowie 2-16E3A Element typu NPN o napięciu kolektor-emiter 600 V i prądzie kolektora 10 A. Tranzystor bipolarny steruje się prądem bazy, a nie napięciem — to odróżnia go od tranzystora unipolarnego i decyduje o sposobie projektowania obwodu wejściowego. Moc strat 50 W odnosi się do pracy z radiatorem utrzymującym obudowę w temperaturze odniesienia. Bez odprowadzenia ciepła rzeczywista dopuszczalna moc jest wielokrotnie niższa, dlatego dobór radiatora jest częścią projektu, a nie dodatkiem. Specyfikacja techniczna * typ: tranzystor bipolarny * polaryzacja: NPN * napięcie kolektor-emiter: 600 V * prąd kolektora: 10 A * moc strat: 50 W * wzmocnienie prądowe hFE: 10-30 * częstotliwość graniczna: 1,7MHz * obudowa: 2-16E3A * montaż: przewlekany