Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -20V; -4,1A; 1,56W; SOT23 * Producent:TAIWAN SEMICONDUCTOR * Montaż:SMD * Obudowa:SOT23 * Napięcie dren-źródło:-20V * Prąd drenu:-4,1A * Rezystancja w stanie przewodzenia:26mΩ * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:1,56W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:19,5nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±10V