Tranzystor: P-MOSFET; unipolarny; -60V; -2,9A; Idm: -20A; 1,4W * Producent:ONSEMI * Montaż:SMD * Obudowa:TSOP6 * Napięcie dren-źródło:-60V * Prąd drenu:-2,9A * Rezystancja w stanie przewodzenia:111mΩ * Typ tranzystora:P-MOSFET * Moc rozpraszana:1,4W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Ładunek bramki:18,1nC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Napięcie bramka-źródło:±20V * Prąd drenu w impulsie:-20A https://elecena.pl/product/30762471/55ntgs5120pt1g 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30762471/55ntgs5120pt1g 2026-10-14