Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 30A; Idm: 111A; 268W * Producent:MICROCHIP TECHNOLOGY * Montaż:SMD * Obudowa:TO263-7XL * Napięcie dren-źródło:1,2kV * Prąd drenu:30A * Rezystancja w stanie przewodzenia:0,1Ω * Typ tranzystora:N-MOSFET * Moc rozpraszana:268W * Polaryzacja:unipolarny * Rodzaj opakowania:taśma * Właściwości elementów półprzewodnikowych:wyprowadzenie Kelvina * Ładunek bramki:64nC * Technologia:SiC * Rodzaj kanału:wzbogacany * Rodzina:SMB * Prąd drenu w impulsie:111A * Standardowe opakowanie producenta:100szt. https://elecena.pl/product/30762791/55msc080smb120sdt-rm 2026-10-04 https://elecena.pl/product/30762791/55msc080smb120sdt-rm 2026-10-09 https://elecena.pl/product/30762791/55msc080smb120sdt-rm 2026-10-14 https://elecena.pl/product/30762791/55msc080smb120sdt-rm 2026-10-20 https://elecena.pl/product/30762791/55msc080smb120sdt-rm 2026-10-25